1. Polariteit van zonnecellen
Siliciumzonnecellen worden over het algemeen gemaakt in p +/ n-structuur of n + / p-structuur, p + en n +, wat het geleidende type halfgeleidermateriaal in de voorste verlichtingslaag van zonnecellen aangeeft; N en P, die het geleidende type van het halfgeleidermateriaal op de achterkant van de zonnecel aangeven. De elektrische prestaties van zonnecellen zijn gerelateerd aan de kenmerken van halfgeleidermaterialen die worden gebruikt bij de vervaardiging van zonnecellen.
2. Prestatieparameters van zonnecellen
De prestatieparameters van zonnecellen zijn samengesteld uit open circuitspanning, kortsluitstroom, maximaal uitgangsvermogen, vulfactor, conversie-efficiëntie, enz. Deze parameters zijn de indicatoren om de prestaties van zonnecellen te meten.
3 volt ampère eigenschappen van zonnecellen
De p-n junctie zonnecel bestaat uit een ondiepe p-n junctie gevormd op het oppervlak, een strook en vingervormig ohms voorcontact, een achterste ohms contact dat het gehele achteroppervlak bedekt en een antireflectielaag aan de voorkant. Wanneer de cel wordt blootgesteld aan het zonnespectrum, dragen fotonen met energie minder dan de band gap bv niet bij aan de celoutput. Fotonen met energie groter dan de band gap breedte bv zal energie bijdragen bv aan de batterij output, en energie minder dan EG zal worden verbruikt in de vorm van warmte. Daarom moet de invloed van dit deel van warmte op de stabiliteit en levensduur van zonnecellen worden overwogen in het ontwerp- en productieproces van zonnecellen.
